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有机材料将有可能是制造密集非易失性存储器最迅速的一条途径,英飞凌科技公司研究人员将在12月举行的国际电子器件大会(International Electron Devices Meeting)上详细阐述这一观点。
这种应用的主要竞争材料是铁电及磁性RAM,两种材料在掉电情况下都能保持逻辑值。英飞凌研究小组正在研究一种当电流通过时能改变状态的有机电荷转移材料。
对于非易失性存储材料来说,挑战主要是如何满足一系列苛刻的要求。任何一种候选材料必须能忍受大约350摄氏度的高温,以便能应用标准CMOS工艺。此外,材料还必须能忍受万亿次的写/擦除操作,并能保留数据长达10年。由于通常来说,非有机材料的物理硬度高于有机材料,因而在这些要求方面具备优势。
研究人员将阐述初始的特征化显示,在100万写/擦除脉冲下材料仅有微小变化。然而,有机材料在工艺处理上有明显的优势。本质上,该材料可铺在几乎任何一种表面上,这使在硅加工完成之后制作有机存储器阵列成为可能,极大简化了工艺。
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