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Soitec SA日前表示,该公司正在为Sematech旗下先进技术开发设施(ATDF)的研究课题提供绝缘硅(SOI)衬底,用于开发多门场效应晶体管(MuGFET)。
Soitec表示,该项目已得到两家半导体制造厂和不少设备供应商的支持,同时一些美国大学也参与其中,研究重点为45纳米及以下的MuGFET技术。MuGFET是描述多种晶体管的一个通用术语,包括含有鳍状(fin-shaped)晶体管的FET和三门器件。
Sematech透露,该公司自2004年9月开始,一直采用45纳米设计规范,与一家主要的半导体供应商和大学研究所合作进行MuGFET项目。然而,Soitec拒绝说出这两家合作伙伴的名字,并不愿透露是否还包括其他设备或者材料公司。
Soitec还供应SOI衬底,用于采用248纳米波长光刻技术的45纳米节点MuGFET测试芯片的验证工艺。此外,Soitec还提供193纳米光刻技术用于开发FinFET晶体管。
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