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日本富士通公司宣布开发出新型芯片封装技术,能形成超细间距35微米焊点突起和高精度的倒装芯片邦定互连。富士通称,与传统倒装芯片互连相比,这项技术突破提高了大约50倍的连接密度。
倒装芯片邦定对于减小IC贴装面积非常理想,形成互连焊接突起。为了避免焊接突起之间的短路,目前突起的间距大约介于200到250微米之间。
该公司声称,新技术采用了电镀方法形成焊接突起。为了减小突起间距,调整光阻分辨率、提高突起高度及获得均匀的外形至关重要。富士通的新技术改进了光阻材料,优化了曝光参数,并开发了光阻图形,精确地控制了电镀电流,因而有可能形成均匀超细间距的突起。 此外,还采用了无铅焊料。
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