IBM、索尼(Sony)以及东芝(Toshiba)日前宣布结盟,开始一项为期5年、有效期截至2010年12月的芯片技术合作开发计划。作为这次半导体研发联盟的一分子,三家公司将共同进行基础研究工作,涉及32纳米节点以及更高的工艺技术。
据称,合作开发的研发费用总计达到4亿美元。研发工作将在IBM位于纽约的Thomas J. Watson研究中心、Albany NanoTech半导体研究中心以及East Fishkill 300微米晶圆厂展开。
在过去的5年中,这三家公司已经在Cell微处理器设计方面进行了技术合作,并正在开发90纳米和65纳米处理工艺的绝缘硅(SOI)技术。
其实,东芝公司已和多家公司合作,在半导体研发和制造方面结盟。
为了夺回芯片市场,重新回到业界第一阵营,日立、瑞萨(Renesas)和东芝将成为首批在日本联合建立晶圆代工厂的企业；NEC与东芝日前也宣布,两家公司将共享45纳米CMOS逻辑芯片的制造工艺。此外,两家公司也正在讨论从设计、产品开发到制造的全线过程结成同盟的可能性。
同时,东芝和索尼公司也一直在合作开发45纳米的工艺技术,而东芝公司的发言人没有说明合作领域是否涉及45纳米以上工艺领域。
东芝半导体公司总裁兼首席执行官Masashi Muromachi表示:“这是一场多赢的合作。东芝具有先进的处理技术和制造能力,索尼拥有各类半导体技术和对消费市场的深刻理解,加上IBM公司先进的材料技术,我们将在32纳米工艺技术方面取得突破性进展。”
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