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韩国电子巨头三星电子(Samsung Electronics)最近表示,已经利用先进的制造工艺开发出4-Gb的NAND闪存和512Mb的DRAM。但是,该公司没有说明上述芯片适用于什么内存接口,以及什么时候开始量产。
三星表示,NAND闪存是利用70纳米工艺生产的,而DRAM则是利用80纳米工艺生产。此外,三星还宣布推出一种名为“聚变内存”的芯片,它将内存与逻辑器件集成在一块芯片上。
4Gb NAND闪存的内存单元尺寸为0.025平方微米,包括一个30纳米厚的钨金属门,它将减少单元之间的阻抗和噪声水平。新型钨金属门适于采用50纳米工艺的设计。
三星的DRAM采用了Recess Channel Array Transistor (RCAT)技术,以及高k氧化物工艺,满足1.5V以下的低电压需求。三星表示,初期量产的是1-Gbit和512-Mbit,数据率为3Gbps。
聚变内存是一种集成式、单芯片内存,它把高密度内存与逻辑器件集成在一起。第一个聚变内存是512Mb NAND闪存,具有一个逻辑接口。三星表示,希望聚变内存可以有助于NAND取代NOR闪存及其它内存组合。
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