Tezzaron Semiconductor公司与初创企业Programmable Integrated Circuit Co. (PICC)日前披露了一项研制三维(3D??D)闪存器件的合作计划。
根据双方达成的协议,PICC将获得Tezzaron技术授权,用于开发基于3D的闪存器件。PICC声称,这些3D闪存将比现有闪存具有更高的容量,而功耗更低。
PICC是一家新的无晶圆厂半导体公司,主要开发基于垂直存储单元的闪存技术。其Vflash专利技术能构建出垂直闪存单元,与标准闪存单元相比,其所占空间较小。而Tezzaron拥有3D堆叠技术。其FaStack专利技术通过堆叠整个半导体晶圆并用铜线邦定,在电路层之间创建连接,以构建三维芯片。
据Tezzaron董事长兼CEO James Ayers透露,PICC的Vflash存储器设计将在标准的半导体晶圆上制造。这些晶圆将被堆叠,并采用Tezzaron的FaStack工艺实现垂直互连。
他接着表示:“我们看到了3D闪存在速度、密度和低功率要求方面的巨大潜力。分层(Layered)闪存能在相同占位面积下获得高很多的存储容量,因此允许设计师采用更少的存储芯片,大幅降低了功率要求。”他还补充说,这两家公司有意延伸其合作关系,以研制更多的3D器件。
京公网安备 11011202001138号
