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联电与Synopsys携手开发0.13微米参考设计流程

  2004年05月11日  

联电与新思科技(Synopsys)宣布针对联电0.13微米工艺及新思的Galaxy平台开发出参考设计流程。目前新思的先进科技部门(Advanced Technology Group)已采用联电0.13微米工艺设计并试产了测试芯片,研究信号完整性、电感效应以及多重临界电压最佳化设计方法,可做为联电工艺验证中的一部份。

Galaxy是专用于设计先进半导体并兼具开放性及整合性的设计平台,它整合了新思的IC设计工具及Milkyway设计数据库,结合了从行为描述语言一直到硅芯片生产所需的时序、信号整合分析、共通数据库、延迟计算器、限制条件、可试验性以及实体验证等功能。

这项参考设计流程使用了新思的Design Compilera、DFT Compilera、VCS、Formality、Physical Compilera、Astroa、PrimeTimea、Star-RCXTa、以及HerculesaPVS等工具,新思科技表示,这项合作将为客户提供一个完整的RTL-to-GDSII设计流程,以协助客户面对深亚微米工艺所带来的挑战。


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