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在德国举行的纳米技术论坛上,研究人员表示,试图采用该技术填补未来半导体制造蓝图中的空隙。
英飞凌科技正在开发面向通信技术的纳米技术应用。英飞凌的一位研究人员Karl Joachim Ebeling介绍了一种能够用于控制半导体的带宽为60 Gbps的SiGe晶体管。但他表示,设计师还不太清楚这种元件的全部容量。“那很难测量,”Ebeling说。然而,可以肯定的是,SiGe晶体管提供更高开关电压,“至少与CMOS一样出色,”他补充道。
尽管英飞凌在超薄绝缘硅晶圆上采用高达45纳米节点的平面MOSFET,但该公司表示正在考虑用于亚30纳米节点SOI上的非平面FinFET结构。Ebeling表示英飞凌正在研究高开关电流比率的FinFET,并有意在其FinFET存储器中采用该器件,据他称这种类型的元件将是全球首创。
芯片设计师在采用纳米技术时还遭遇到一个老问题:随着结构越来越小,掩膜成本以指数级增长。“我们预计一套掩膜的费用为530万美元,” Ebeling说。此外,曝光系统成本也爆炸性飞涨,预计每套步进器的价值大约为8200万美元。
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