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在日前举行的IEDM上,韩国三星电子(Samsung Electronics)描述了一种下一代非易失性存储器技术,即所谓的OxRRAM。
据称,OxRRAM基于磁阻存储器(resistive memory)技术,该技术已经讨论过多年,但是这项技术过去由于糟糕的耐用性和较高功耗而备受诟病。三星声称,通过使用钙钛矿(perovskite)氧化物材料,该公司的OxRRAM已经取得了突破。三星已经设计出基于0.18微米CMOS技术和0.2平方微米单元大小的OxRRAM测试芯片。OxRRAM测试芯片工作在3伏特电压和2毫安开关电流,该芯片的读周期为102。
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