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IMEC项目为后CMOS时代寻找革新化的纳米技术方案

  2004年10月18日  

采用纳米技术取代并延长先进CMOS制造技术的寿命是新IMEC项目的目标。IMEC的行业联系项目(IIAP)将寻求目前使用定标的替代纳米技术,以减小器件尺寸。该项目还将调查半导体制造工艺的革新性技术或新范例。

尽管已经论证了单个器件,但目前在采用纳米技术构建模块来创造更高密度和崭新功能的革命性技术方面进展甚微。IMEC项目参与者将调查具备半导体特性的金属线、碳纳米管和电子旋转技术,同时还将开发方法论及理论体系,以作为实现新方法的骨干。

研究的第一个阶段将着重于调查具有半导体特性的金属线的潜力。IMEC制造这些垂直柱状结构的加工工艺已足够成熟,可以开始评估在后端线(BEOL, back-end-of-line)处理的使用情况,更适合于加工BEOL金属层之间的通孔。典型的柱结构尺寸为20纳米到100纳米,非常完美地匹配目前流行的光刻技术。


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