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索尼和东芝日前表示,将联手为逻辑芯片开发45纳米制造工艺,延伸双方在90纳米和65纳米工艺上的合作。索尼和东芝从2001年5月就开始合作开发芯片制造工艺。
双方表示,预计将在2005年以前取得初步合作成果。它们计划抢在他人前面推出45纳米工艺,并将很快开始生产65纳米芯片样品。
根据双方的联合开发协议,45纳米项目将在2005年末以前完成。该项目的预算为200亿日圆(折合约1.9亿美元),大约有150名工程师参与其中。
两公司没有说明,它们的工艺开发会在多大程度上遵守国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)所规定的指导原则。
此外,索尼、东芝、IBM以及索尼电脑娱乐(SCE)等4家公司正在共同开发使用SOI(silicon on insulator)基板的45nm以上工艺技术。它们共同开发的下一代微处理器“CELL”将采用65nm工艺的SOI技术制造。
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