三星电子最近宣布,该公司已经开发出在单个封装中包括两片512Mb DDR SDRAM裸片的1Gb DDR同步DRAM(SDRAM)芯片级封装(CSP)部件。该芯片具有DDR 266和DDR 333两个版本,尺寸大小为11.5×12mm,并符合JEDEC DDR芯片级封装颗粒间隔(ball pitch)规范。
据称,在多芯片封装开发领域,三星一直领跑者。三星透露2G DDR芯片级封装部件可能使用两片1-Gb DDR SDRAM裸片制造,但是没有透露三星是否制造这种产品的计划和时间。
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三星电子最近宣布,该公司已经开发出在单个封装中包括两片512Mb DDR SDRAM裸片的1Gb DDR同步DRAM(SDRAM)芯片级封装(CSP)部件。该芯片具有DDR 266和DDR 333两个版本,尺寸大小为11.5×12mm,并符合JEDEC DDR芯片级封装颗粒间隔(ball pitch)规范。
据称,在多芯片封装开发领域,三星一直领跑者。三星透露2G DDR芯片级封装部件可能使用两片1-Gb DDR SDRAM裸片制造,但是没有透露三星是否制造这种产品的计划和时间。
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