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各个公司纷纷在下一代非易失性存储器(non-volatile memory)抛下赌注,英飞凌日前传出与Axon Technologies公司建立合作关系。
消息人士表示,英飞凌希望利用Axon的Programmable Metallization Cell memory(PMCm)技术制造存储器产品。据称到2005年或2006年,PMCm将有可能代替现在的DRAM和闪存。
PMCm技术是由Axon公司联合Arizona State University共同进行研发,2003年1月,美光公司率先提出获得该技术的许可。现在,美光已经在使用PMCm技术开发一款低于1伏特电压的新型non-volatile存储器。该公司表示,这款新型存储器比现有产品减少了50%到60%的功耗。
英飞凌不仅在PCMm上进行投入,该公司同样在另一种存储技术磁阻RAM(MRAM)上投入重金。现在,英飞凌与IBM公司在法国合资成立了一家名为Altis Semiconductor SA 的MRAM技术研发机构。
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