众多闪存芯片供应商拥入数据存储市场

基于闪存的数据存储领域长期以来一直是少数几家供应商的领地,但目前许多后来者也想挤入。这种情况可能使供应短缺的局面在2004年年中以前得到缓解。

韩国Hynix、欧洲的意法半导体(STMicroelectronics)和美国的美光(Micron)等三大芯片制造商,都在投身于NAND闪存市场。Hynix与意法半导体组建了一个合资公司,生产NAND闪存；美光则在2003年12月推出了一种2Gbit NAND闪存芯片。

英特尔、Silicon Storage Technology(SST)和夏普(Sharp)等其它闪存生产商,则不愿介入NAND市场,而是开发基于NOR的代码存储产品,使之能够执行数据存储功能。还有一家NOR闪存制造商,即AMD与富士通的合资公司FASL LLC Spansion,正在研究NAND,但该公司表示,尚未作出采用这种技术的承诺。

同时,德国英飞凌(Infineon Technologies)与以色列Saifun Semiconductor结盟,也进入了闪存数据存储领域,并推出了NROM闪存技术。英飞凌正在生产样品芯片,计划在2004年上半年投产。

众多厂商热衷于闪存数据存储,是因为NAND市场火爆。而且据预测,数码相机、照相手机、可上网手持设备和闪存卡将保持增长势头。Web-Feet Research Inc.的分析师Alan Niebel表示,需要闪存数据存储的多功能手机2003年占总体手机销量的比例预计为32%,而到2008年则将升至69%。对数据存储需求更大的智能手机,2008年占手机市场的比例将由2003年的5%升至19%。

市场研究公司Semico Research Corp.的分析师Jim Handy表示,如果每家闪存数据存储供应商都按计划扩充产能,则短缺现象可能在2004年下半年消失,随后向供过于求的方向迈进。

各厂商的产量提升计划确实显得来势汹汹。美光拒绝为其2Gbit NAND芯片定下量产时间表,但分析师估计,美光可能在2004年底以前生产2Gbit NAND芯片的样品。

“考虑到NAND市场预测,美光对于该市场的增长潜力感到振奋。NAND对于美光来说是个巨大的机会。”美光的一位发言人表示。

Hynix和意法半导体都在为部分客户生产首款512Mbit NAND芯片的样品,并希望在2004年第一季度开始量产512Mbit NAND芯片。

老牌NAND供应商都在尽可能快地提高自己的产量。据说韩国三星电子(Samsung Electronics)已将比例不详的DRAM产能转为生产NAND闪存。东芝和SanDisk Corp.正在努力提高NAND产量,并把一家300毫米晶圆厂的建设时间提前一年到2005年。该晶圆厂的晶圆将用来生产NAND芯片。瑞萨科技(Renesas Technology)也在努力扩大其闪存数据存储芯片的产量,它的闪存架构名为“AND”闪存。

而NOR闪存供应商亦瞄准了数据存储功能,特别是在低端可拍照手机领域。 英特尔正在生产它的StrataFlash无线内存系统,这是一种多芯片封装,包含一个256Mbit NOR用于代码执行,一个256Mbit NOR用于数据存储。英特尔的一位发言人透露,上述系统将于2004年2投产。她说,英特尔没有生产NAND闪存的计划。

(作者:Jack Robertson 翻译:张涛)