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日本东芝公司已经在绝缘硅(SOI)晶圆上制造128Mb无电容(Capacitorless)DRAM,并验证了该芯片能够工作状态。
此前于今年2月份,东芝在国际固态电路会议(ISSCC)上报告了128Mb无电容DRAM设计和仿真结果,而在日前举行的国际电子器件会议(IEDM)上,东芝又报告了芯片工作情况,称其为岂今制造的最高密度的无电容DRAM。
该无电容DRAM采用了门绝缘薄膜下产生的浮体单元,而不是传统DRAM的电容器。除2000年开始进行浮体单元研究的东芝外,如Innovative Silicon公司和瑞萨科技等公司也各自宣布了其原型产品。
东芝研发中心先进内存设备技术部首席专家Takeshi Hamamoto称,这种128Mb DRAM容量代表着正在开发研究的最高密度无电容DRAM。该芯片采用六层金属90nm工艺制造。单元尺寸为0.17平方纳米,大约是传统DRAM单元面积的一半。
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