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精工爱普生公司近日推出用于制造铁电随机存取存储器(FeRAM)的新型铁电材料,暂时命名为PZTN,据精工爱普生公司表示,这种材料可显著提高存储器的持久周期。
在不久前福冈举行的日本应用物理学会上,爱普生公司介绍了该新型材料,这种材料以PZT为主,这是一种广泛使用的铁电材料,并使用铌替代了部分钛原料。
PZT本来是制造FeRAM的一种很有希望的材料,但这种材料的持久工作能力不足,存储器在经过1百万次读写后,性能恶化,损耗达到50%。而据爱普生介绍,使用这种新型材料后,存储器读写1百万次后只有几个百分点的损耗。
爱普生工程技术人员推测PZT氧不足导致FeRAM的性能下降,他们采用加入铌金属,以期解决这个问题,加入的铌金属是原来的20到30倍,并将PZT中20%的钛金属用铌金属替代。
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