东芝(Toshiba)最近扩大了与超捷(SST)的授权协议,以覆盖SST的NOR型分裂闸(split-gate)单元架构,其中微控制器采用0.35微米CMOS工艺。
东芝在2003年9月获得使用SST闪存的许可,但仅限于采用0.5微米工艺的闪存。根据新的协议,东芝将获得SST的0.35微米超快闪(SuperFlash)技术,并把它嵌入到其8和16位微控制器之中,以用于便携数字音频设备、电视和PDA等大批量应用之中。作为回报,SST得到东芝支付的许可费和专利费。
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东芝(Toshiba)最近扩大了与超捷(SST)的授权协议,以覆盖SST的NOR型分裂闸(split-gate)单元架构,其中微控制器采用0.35微米CMOS工艺。
东芝在2003年9月获得使用SST闪存的许可,但仅限于采用0.5微米工艺的闪存。根据新的协议,东芝将获得SST的0.35微米超快闪(SuperFlash)技术,并把它嵌入到其8和16位微控制器之中,以用于便携数字音频设备、电视和PDA等大批量应用之中。作为回报,SST得到东芝支付的许可费和专利费。
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