应用材料公司(Applied Materials)日前在国际电子器件大会(IEDM)期间主持了一场研讨会,探讨了在所有种类半导体结构中由应力导致(stress-induced)的迁移率增强的现状和前景。
英特尔公司的项目经理Tahin Ghani指出了市场当前的现状。“我们目前采用第一代应变硅制造技术进行90纳米工艺生产。我们将应变运用到500 megaPascals类应用上,在载体迁移率上改进50%,而在IDsat上总体提高30%。”
但在65纳米出现一些问题。“应变不断增加使缺陷密度也增加。我们不知道如何优化器件以得到在给定的应变下的最大响应。我们还不知道,随着P通道器件比N通道器件速度提高接近1倍,设计会产生什么影响。”
IBM公司的Ken Rim补充说:“未来我们会增加应变水平,我们还将在晶圆上融合局部应变和全局应变。但会出现很多问题:缺陷率怎么处理?可以缩小吗？工艺可变性又有了新源头么？”
有两位小组会议代表则提及了应变技术的前景问题。美国麻省理工学院的Judy Holt警告说:“硅中现有技术并不会想我们想象中那样走得那么远。应变器件的未来将是改变通道的成分,演变为双通道器件,并采用锗(Ge)材料。”另一位代表,SiGen公司的首席执行官Francois Henley也持类似看法。
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