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NEC公司近日表示,该公司开发出“稳定”的纳米碳管(Carbon Nanotube transistor, CNT)制造工艺,据称CNT可以获得比硅MOS晶体管强十倍的跨导性能。
NEC公司表示将继续进行CNT控制技术、电气特性控制、器件结构设计以及制造工艺开发,希望在2010实现CNT商用的目标。跨导性能用来衡量当输入门电压变化时,漏电流(drain current)的变化情况。据NEC公司表示,这个值越大,晶体管操作速度越快。研究中的一个关键步骤是开发化学气象沉积方法(chemical vapor deposition, CVD),用来促进CNT在硅底层生长。
开发遇到的另一个问题是降低电极和纳米碳管之间的接触电阻,可以通过消除在电源和漏电流之间的寄生电阻实现。
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