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联电日前发表一种可提升绝缘层覆硅晶体管效能的工程技术。与传统的基体接地绝缘层覆硅晶体管相比,此种直接穿隧感应浮体电位技术能扩大该组件的特定物理行为,增加30%的PMOS晶体管驱动电流。
联电表示,新技术与应变硅组件或多重闸极晶体管等其它性能提升技术有很大不同,这项新技术并不会增加制程的复杂度,意即不会造成额外的制造成本支出或良率的降低。
这项先进的工程技术是透过简单的设计布局结构来控制直接穿隧电流。直接穿隧是一种电子或电洞穿过薄绝缘层的量子机械行为。这个平常不太受欢迎的行为,却可经由此项工程技术来补强不受控制的浮体效应。有了这个额外的控制,除了性能获得提升之外,晶体管行为也将变得更容易预测。
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