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由主要半导体制造商组成的International Sematech(ISMT)协会正在筹办2004年1月召开的会议,讨论光刻问题,并试图帮助业界达成一致寻找到可能的光刻解决方案。
许多芯片制造公司正面临一个取舍点,决定采用哪种能够承受的中期光刻策略。目前竞争的方案包括:193纳米波长光刻沉浸、157纳米波长光刻及超紫外线光刻技术。ISMT表示,期望能回顾并阐明光刻技术的现状,包括更长远的下一代光刻方案,并倾听业内对光刻趋势的声音。为此,该协会将主办“全球光刻论坛”大会,2004年1月28日到29日在洛杉矶举行。ISMT总裁兼首席执行官Mike Polcari预计,将有超过300位人士与会。
Polcari表示,来自半导体行业的专业人士将通报不同技术的最新进展,涵盖193纳米沉浸技术、157纳米、超紫外线(EUV)、电子发射(EPL)、光及电荷微粒无掩膜,以及纳米印刷等。
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