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台积电(TSMC)近日表示,该公司45??%D3%B0%BC%BC%CA%" target="_blank">浸润式曝光显影技术所产出的测试芯片,已相当符合量产所要求的参数标准,并计划将于45奈米制程采用浸润式曝光显影技术。
台积电在美国加州圣荷西所举行的SPIE Microlithography研讨会中发表这项成果,同时指出透过该公司专有的技术,浸润式曝光显影成功产出多批测试芯片,单片芯片上的芯片缺陷最低的仅有3个,达到几乎零缺陷密度的目标。
浸润式曝光显影技术系使用水或类似的清澈液体当作成像的介质。在曝光机台的镜头与晶圆片间加入水作为介质,以得到更高分辨率的光源,而制造面积更小、密度更高的组件。此外,也使得原本使用液体介质所导致气泡、水印、微粒子掉入与所引起的影像缺陷或光阻液残留的状况得以解决。
因此,浸润式曝光显影技术突破了目前这个世代(193奈米)采用曝光显影机台的限制,使其能够继续用于制造更先进技术的芯片；同时,台积电并已计划将于45奈米制程采用浸润式曝光显影技术。
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