英特尔公司正投入大量精力用于远紫外线(EUV)光刻技术(用于制造未来微处理器的技术)开发,现在已经在EUV技术上取得两项重要成果里程碑式的突破:该公司安装了全球第一套商用EUV光刻工具,并建立了一条EUV掩模试产线,表明该技术已从研发阶段进入试用阶段。英特尔预计此技术将于2009年开始应用到大批量生产中。
光刻技术的物理限制一直被认为是芯片制造工艺在深亚微米发展的主要障碍,此前业界预计当前的芯片光刻技术将在未来几年内达到其极限,今天在英特尔芯片制造厂光刻最小线宽为50纳米,而EUV光刻技术的开发将会使这一极限降低到15nm。
英特尔技术和制造事业部组件研发总监Ken David表示:“我们在运用EUV光刻技术朝着在2009年实现制造32纳米制程方面又迈出了重要的一步。这一技术将有助于我们继续将摩尔定律的优势在未来十年得到延续。”
EUV微型照射工具(Micro Exposure Tool, MET)和采用世界首套EUV掩模制造工具的EUV掩模试验线的建立,将使英特尔能够印刷尺寸小于30nm的电路,从而为EUV光刻技术投产后所需的15纳米分辨率做好准备。
现在的光刻技术采用的是较长的光波,无法满足未来几年随着晶体管和其它电路元件尺寸的缩小,需要印刷微型部件的需求。由于EUV光刻技术采用波长仅为13.5纳米的光波,因此与今天使用的193纳米光波相比,它可能成为制造未来芯片所需的解决方案,然而在该技术的开发过程中仍然存在一些挑战。
英特尔将使用微型照射工具(MET)来应对EUV光刻技术开发过程中面临的两大挑战:光刻胶的开发；以及掩模缺陷(包括将在晶圆上印刷的电路模式)的影响。MET还将使英特尔能够集中致力于优化在批量生产过程中印刷小部件所需的变量。
除了MET的安装,英特尔还成功建立了一条EUV掩模试产线,该试产线是英特尔内部计划进行未来掩模生产的基础。此试产线将EUV特定模块内建于英特尔现有的室内掩模生产流程中,其中包括世界首套商用EUV掩模制造工具。
据称,在研发方面英特尔制订了与Cymer、Media Lario和NaWoTec等公司进行联合开发的计划,从而推动EUV光刻技术的不断发展。
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