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即将于6月6日至8日在美国加州举行的国际互联技术会议(IITC) 上,日本富士通(Fujitsu)公司预计将宣读一篇论文,介绍该公司在碳纳米管互联方面取得的一项新突破。
在这篇论文中,富士通公司宣称,多壁(multi-walled)碳纳米管具有下一代芯片设计所需的互连通孔(via)低阻抗。
富士通公司表示,纳米级别的金属碳纳米管与传统技术相比具有更高的电流密度。该公司已经在2微米通孔中制造了成束的纳米管。每根管线的内壳连在一起形成额外的传导通道已降低阻抗,其结果是与钨的理论值处于同一数量级。尽管比铜高一个数量级,在概念上碳纳米管的性能远远比电迁移好。
在IITC会议上,富士通公司将在论文中披露更详细的信息。
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