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初创公司SolarFlare Communications最近完成了一种处理10Gb通过铜线传输的高性能集成模拟前端。但大量工作还有待于IEEE的10Gbase-T标准,预计至少一年内还无法推出产品。
SolarFlare的AFE芯片集成了4个10位每秒1G采样的A/D转换器(5e类以太网缆线每条线专用的A/D)。该芯片还针对每一个A/D配备专用的可编程增益放大器和PLL。芯片上的一个主PLL与每个转换器之间的流量同步。
该公司在设计中采用了沟道绝缘和其它平噪技术。它还进行了裸片及23×23mm、473引脚球栅阵列封装的3维模型仿真。AFE采用180纳米CMOS制造,包含270万晶体管,消耗5瓦功率。
SolarFlare公司市场副总裁Ron Cates表示,“这是迄今我所知道的唯一一款采用CMOS工艺、四方型封装、具备10位千兆级数模转换采样率的高性能芯片。” Cates表示,SolarFlare将在2005年底推出基于90纳米DSP的产品及现有的AFE芯片。但美国国家半导体公司数据转换系统首席科学家Bob Pease质疑该芯片价格是否过高,以及针对商用时消耗功率过大。
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