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日本松下电器(Matsushita Electric)工业株式会社与以色列Tower半导体公司日前达成协议,双方将共同开拓嵌入式闪存市场。
松下和Tower将基于Saifun半导体的技术共同开发0.18微米的嵌入式闪存,Saifun是NROM的开发者。NROM在一个存储单元上存储两个比特,存储位置是在每一个浮动闸的末端。据悉松下和Tower最初计划在日本松下的工厂加工0.18微米的嵌入式闪存,而Tower正在自己以色列的工厂内进行铸模处理。除了和松下合作开发0.18微米的嵌入式闪存外,Tower也提供基于Saifun 的技术的0.5微米的嵌入式闪存处理。
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