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中芯国际欲兴建300mm新厂,战略调整将向IDM模式转型?

  2006年05月17日  

分析师日前预计,中国晶圆代工厂商中芯国际计划新兴一家300毫米工厂,而且可能进行战略调整,转向IDM模式。

市场调研公司Semico Research Corp.指出该公司在北京新建了一家300毫米工厂,而且正在上海兴建另一家300毫米工厂。中芯国际一直在提升其在北京的300毫米工厂的产量,同时它在上海拥有几家8英寸工厂。

Semico公司的分析师Joanne Itow表示,中芯国际计划在上海兴建名为“Fab 8”的300毫米工厂,用于生产逻辑芯片。Itow表示,该厂计划采用90和65纳米工艺。她认为该工厂可能在2007年投产。同时,分析师想知道中芯国际是否正在从纯粹的晶圆代工模式转向IDM模式。

中芯国际在1月份决定在Saifun Semiconductors Ltd.的帮助下进入存储卡市场。中芯国际扩展了许可范围,以利用Saifun公司的氧氮化物闪存技术,使其能够开发和生产存储卡。

Semico表示,“NAND闪存开发工作在按计划进行,将在6月提供工程样品,已在第一季度成功地生产出2-Gbit芯片。中芯国际计划在今年第四季度开始商业生产。此举暗示中芯国际将从纯粹的晶圆代工厂商变成IDM。”

Itow则认为他们仍想充当纯粹的晶圆代工厂商,并正在试图确定在闪存业务方面采取什么策略。她指出,中芯国际正在研究几项可能的方案,可能分拆闪存业务、建立伙伴关系,或者把该业务出售给一家模块制造商。

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