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科学家寻求技术突破,实现以标准VLSI硅技术构建光器件

  2006年05月05日  

以色列耶路撒冷Hebrew大学的研究人员日前开发出一种基于标准VLSI硅技术构建光器件的方法OPTIMOS,并寻求将该技术进行授权。

研究人员表示,这种统一的技术价廉可靠,而且可缩放。器件将减少数据及电信基础设施中光电转换元件的数量,并降低资本和运作开销。

据该所大学应用物理系教授Joseph Shappir称,OPTIMOS技术基于两种原理的组合:用硅VLSI技术构建波导结构,用外部电场控制波导核心的折射指数。

基本结构是硅和氧化硅多层结构。氧化层作为覆层,而硅作为核心。两条平行接近的硅带组成一个电容,通过施加压差而充电。这些电荷改变了自由载荷密度,因此改变了折射指数。

改变折射指数使波导光传播的光学路径发生变化。这种现象可被用于大多数已知的结构,来获得调制、光交换或可变耦合。

所用材料是具有掩埋氧化层、顶部是硅层、厚度为几微米的绝缘硅晶圆。标准工艺只需少许改变即可实现基本的MOS结构,用来制成OPTIMOS器件,无需干扰常规CMOS电路的实现。

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