通过用铜突起(Copper Bump)取代线邦定(Wire Bond),TriQuint Semiconductor公司与封装厂Amkor Technology公司打算将用于GaAs半导体的低成本倒装芯片(flip chip)装配工艺实用化。双方宣称,通过采用铜突起,电子连线可以直接将半导体裸片上的接触点与模块陶瓷或层压衬底相连。
TriQuint在其紧凑型6mm X 6mm GSM功率放大器模块(PAM)中采用了名为“CuFlip”的工艺。由于CuFlip允许高密度互连连接,这款PAM外形尺寸比上一代产品小40%,据称RF性能也有改进。由铜突起提供的到衬底表面的直接热连接据称在功放设计中极有价值。由于裸片工作温度降低,裸片尺寸更小,长期可靠性也有改进。
CuFlip工艺与标准层压衬底材料相容。采用该技术的半导体装配制造商需要的加工显著减少,与线邦定装配产品相比,由于产出率提高、周期加快、工序减少及设备开销减少,使成本更低。该工艺模块可重复性也增加,导致RF性能提升。
据TriQuint副总裁Ron Ruebusch称,基于CuFlip的装配是该公司采用其功放、pHEMT开关、集成无源元件及SAW滤波器等元件来集成手机RF前端长期策略的里程碑。
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