瑞萨科技公司最近开发出结合SRAM和DRAM技术的新型SRAM存储器单元SuperSRAM,大小只有传统的SRAM的一半,并保持了低功耗和需要刷新的特点。这种SuperSRAM存储单元结构结合了SRAM存储单元和DRAM电容。SRAM存储单元包括作为负载晶体管(load transistor)的一组P-通道薄膜晶体管(TFT),一组N-通道MOSFET作为激励晶体管。
该存储单元还在传统SRAM存储单元的存储结点(storage node)位置包括一组堆叠电容。TFT和堆叠电容形成芯片晶片层中的晶体管的上层,减小存储器单元尺寸。
这种采用0.15微米工艺制造的16Mb器件,原型尺寸为32平方毫米,只有Renesas的CMOS SRAM的一半。开发这种存储器单元结构的SRAM的Renesas存储器业务部LPSRAM 1组的负责人Yuji Kihara透露:“这应该是最小的SRAM。我希望开发克服SRAM尺寸和存储器信息丢失缺陷的SRAM。”
这种存储器单元基于SRAM和DRAM器件采用的TFT技术。同一业务部的LPSRAM2组的负责人Yasuhiro Konishi说:“其垂直结构很复杂。没有这些TFT和电容技术,开发这种新型存储器单元将很困难。”
瑞萨科技透露,该公司将在11月份推出SuperSRAM样品,明年春季以每月350,000片的数量开始批量生产,到2004年10月,产量将上升到600,000片。第一批产品将采用该公司目前的SRAM采用的0.15微米工艺制造。
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