NEC公司和Tokuyama公司已经联合开发电子束光刻,可以蚀刻宽度达到8纳米,边缘粗糙程度低于1纳米。
刻制材料采用4个苯环的分子结构,苯环连接直径为0.7纳米。据两家公司表示,正是采用这种机构的材料,才能使得蚀刻的精度能在1纳米以下。NEC公司的研究员使用这个光刻技术成功的对10纳米宽、60纳米高的多晶硅进行了刻制,刻出35纳米的间距。这表明这种纳米级尺寸的器件可以使用该技术进行加工。
Tokuyama公司已经开始向外界提供这项光刻技术,主要面向实验室和研究机构。
|
|
NEC公司和Tokuyama公司已经联合开发电子束光刻,可以蚀刻宽度达到8纳米,边缘粗糙程度低于1纳米。
刻制材料采用4个苯环的分子结构,苯环连接直径为0.7纳米。据两家公司表示,正是采用这种机构的材料,才能使得蚀刻的精度能在1纳米以下。NEC公司的研究员使用这个光刻技术成功的对10纳米宽、60纳米高的多晶硅进行了刻制,刻出35纳米的间距。这表明这种纳米级尺寸的器件可以使用该技术进行加工。
Tokuyama公司已经开始向外界提供这项光刻技术,主要面向实验室和研究机构。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
12月18日，《AVEVA InTouch Unlimited重塑HMI/SCADA的无限可能》在线研讨会即将开播。
为助力广大电子半导体企业洞悉行业数智化发展趋势，并提供切实可行、可靠的解决方案，推动整个行业繁荣发展，剑维软件的专家团队
微信扫一扫，关注IIANews公众号
微信扫一扫，进入IIANews微网
京公网安备 11011202001138号
