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富士通与爱普生日前宣布合作开发下一代铁电存储器(FRAM)非易失性存储器技术的协议。
根据协议,两家公司计划开发高度集成的下一代FRAM,其存储单元区只有市场上的传统FRAM的六分之一,计划于2006年上半年完成。富士通和爱普生也计划开发对执行读/写周期数具有最低限制的存储器核心工艺技术。
近年来,便携式信息设备和智能家用电器越来越复杂。而FRAM具有多种优势,如与闪存和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)相比具有低功耗、高读/写速度,所以市场对FRAM非易失性存储器的需求急剧增加。除了ROM功能外,FRAM还具有非易失性RAM功能,使它成为最好的存储设备之一,是用于系统大规模集成电路(LSI)的理想存储器。
两家公司计划结合双方的FRAM材料和小型化工艺等基础技术,缩短开发周期。
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