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意法半导体公司与Ovonyx公司在非易失性存储器研究领域取得持续进展。ST研发中心工程师和Ovonyx公司首席执行官Tyler Lowrey、以及米兰工艺学院,为硫化物相变存储器(chalcogenide phase-change memory)开发出基于沟道的单元结构。
该研发团队发表了一篇关于非易失性存储器单元的论文,将在6月15到19日在夏威夷举行的VLSI技术和电路论坛上演示。
根据论文摘要,所谓的“uTrench”方法兼容CMOS制造工艺,“高度可制造”,与以往方法相比可减少编程面积。底部电极的编程区由薄垂直半导体金属加热器和亚微米级的光刻沟道交叉而成。
该单元的总体尺寸为0.32平方微米,适用0.18微米设计规则,编程电流为600毫安。论文预计将说明研发小组已经测试了沟道单元,能忍受1000到1100亿次编程周期,110摄氏度下数据保持10年。
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12月18日，《AVEVA InTouch Unlimited重塑HMI/SCADA的无限可能》在线研讨会即将开播。
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