三星电子过去一直是将最新的半导体处理工艺用于制造DRAM,最近该公司进行了战略调整,NAND闪存成为公司最新技术的推动器。
这家韩国公司日前证实,将在2004年推出70纳米NAND闪存,这比使用同样工艺生产DRAM要早整整一年。三星电子内存业务部副总裁Jon Kang表示,该公司采用70纳米工艺制造的4Gb NAND闪存样片将在2004年第三季度面世,同年第四季度将限量生产。三星将会使用类似的80纳米工艺生产512Mb DRAM,但时间不会早于2005年第三季度。
他表示,“我们将会把最新的工艺用于制造闪存,时间比DRAM更早。”
三星已经在使用90纳米工艺生产2Gb NAND闪存,这也比同样工艺的DRAM要早一年。三星电子闪存业务主管Steffen Hellmold表示,现在2Gb NAND闪存在韩国的200毫米晶圆厂生产,到2004年头两个季度,将会在三星的300毫米晶圆厂生产。
三星电子的竞争对手也纷纷进行战略调整,Renesas Technology公司将在2004年中推出90纳米工艺4Gb容量AND闪存样片。AND是Renesas公司的NAND闪存版本,4Gb存储器芯片将会在该公司的300毫米晶圆厂中生产。
另外,东芝公司、SanDisk公司、意法半导体、Hynix Semiconductor、Elpida Memory以及Micron公司也加速了闪存向更高工艺转化的步伐。
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