由九家领先芯片制造商组成的国际Sematech(ISMT)工程组织联盟目前核准了一种70纳米晶体管长的高K基准制造工艺。
ISMT表示,70纳米晶体管与大约85纳米制造节点相对应。该工艺将被用于开发65纳米金属门制造工艺,以配合当前工艺中采用的硅化铪(HfSiOx)高介电常数门绝缘体。这种经认证合格的工艺细节及工艺中选用的门金属未被披露。
2003年版国际半导体技术蓝图目标是,在高性能器件中整合高K/金属门,以适于2007年65纳米制造工艺节点。
ISMT的前端工艺分部携手ISMT的先进技术开发厂(Advanced Technology Development Facility)共同开发了这种工艺。
“这是ISMT发展过程中的里程碑,”FEP副总监Larry Larson说道。“我们过去已做了大量的高K材料研究工作,获得了优良的晶体管特性,我们还将它成功用于金属门。”
项目经理Byoung Hun Lee表示,新制造工艺被用来构建功能性高K/金属门器件,优良特性包括:NMOS和PMOS沟道分别近似0.82V和0.85V的对称阈值电压；多晶硅覆层与其下硅化铪层之间不发生反应；NMOS驱动电流性能为接通时每微米1,020毫安,关断时为10纳安,1V过压驱动。
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