|
|
三星电子公司(Samsung Electronics)日前研制出基于DDR2技术的1GB全缓冲双列直插式存储器模块(FB DIMM)。该公司声称,与寄存式DIMM相比,该技术将提升存储器密度和带宽,以改进服务器和工作站的数据处理。
三星半导体技术市场高级副总裁Jon Kang表示:“我们相信,我们的FB DIMM解决方案将被余下的存储器市场所接纳,并成为最广泛普及的技术。”目前,每通道存储器插槽存取的速率随着存储器总线速度增加而减少,导致密度随通道速度增加而受到限制。FB DIMM采用点对点链接,使多个存储器模块能被串行连接到指定的通道上,消除了这种“stub-bus”通道瓶颈。
每个模块上添加了一片存储器缓冲芯片,促成了高低速接口的使用。该缓冲能产生3.2Gbps至4.8Gbps的速度,比DIMM中的DRAM快6倍。 三星表示将在2005年上半年开始批量生产FB DIMM。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
12月24日上午10点，研祥周三购小程序IPC-310准系统低至三位数！
此活动每月定期举办一次，于其中一个周三的上午10点至11点限时开启。在此期间，研祥旗下多款经典爆款产品，包括高性能工业计
微信扫一扫，关注IIANews公众号
微信扫一扫，进入IIANews微网
京公网安备 11011202001138号
