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英特尔公司材料技术运营总监C. Mike Garner日前在Semicon West研讨会上对设备供应商表示,在未来五年内,需要新型材料和更多投资以拓展CMOS技术。
“演变中的CMOS”技术预计将进一步发展至2013年,Garner表示,在那之后,需要“革命性的CMOS”技术来跟上一直缩小的芯片尺寸。
他补充道,革命性的材料有可能是纳米线和碳纳米管,及新型光阻方法,例如,采用自装配技术来消除65纳米及更小尺寸下不断增加的线边缘粗糙度。“仅仅是为了延伸CMOS技术,我们预见到对新材料的需求。”他将更高K值的材料添加到了未来至少几代CMOS的需求清单上。
所谓的“纳米结构化材料”,诸如5纳米硅纳米线背负重望,但Garner告诉芯片制造商,这些材料并不总是随要求发展。在2020年之后,芯片制造商将寻求能取代CMOS的材料。Garner表示,除了缩放性和更佳性能之外,新材料还要求能兼容当前的CMOS工艺和结构。
目前英特尔用于研发的投入是每年50亿美元。Garner承认,需要更多资金用于材料研究。
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