Isis技术:IC工艺转移并减少漏电流可无需再综合

英国设计服务公司In2Fab正携具有“互连专用增量综合”(Isis)技术的产品进军EDA市场,据说该产品有助于IC工艺转移并减少漏电流。In2Fab技术公司承诺无需进行再综合就能实现这些目标。

Isis工具无需改变布局即能修改门级网表,其基本技术包括单元交换,即Isis能够取出数字设计的单元,并用来自不同库的单元替代它们。由于Isis中嵌入了静态时序分析功能,因此它能修复时序破坏、平衡时钟树并可改进性能和偏斜,In2Fab公司透露。该公司的Isis-Migrate产品已经上市,Isis-Power产品则要等到今年晚些时候推出。

In2Fab的前身是成立于1999年的Design Resources公司。它以往一直在提供物理布局和工艺转移服务,但最近决定开始提供设计自动化工具。“基于服务的业务市场非常艰难。”In2Fab公司副总裁兼总监、合伙创始人Rober Baker表示。另外,该公司的技术“被迫切要求成为一种EDA工具,”他说,“Isis发展得如此之快以至于不适合仅作为一种服务了。”

In2Fab公司总裁兼首席技术官Tim Regan和Baker都拥有数年在德州仪器公司(TI)的模拟设计工作经验。“我们首先是半导体专业人士,然后才是EDA专家。”Baker表示。虽然Isis的目标市场是数字设计,但In2Fab还提供一项称为Osiris的技术来帮助用户完成模拟和定制设计的转移。该技术将在2004年得到商用,Baker透露。

Baker介绍说,Isis不要求对RTL代码进行任何的修改或再综合,因此消除了在综合和布局间的多次反复。In2Fab公司内部已经利用Isis完成了十几项0.18微米和0.13微米设计的出带,并完成了3个90纳米的设计。

Isis-Migrate输入的是Verilog或VHDL网表以及设计交换格式(DEF)的布局文件,并依据针对目标工艺的新库输出Verilog或VHDL和DEF。该工具曾成功地在20小时内将一个具有8,000万个晶体管和1,000万个逻辑门的芯片从0.18微米工艺转移到0.13微米工艺,Baker宣称。

“Isis的‘专用互连’部分可以帮助设计师保持时序的收敛。我们正计算所有的互连将如何适应这项新的技术。”Baker表示。新设计需要用第三方工具进行再布线,他说,但设计师知道布局是正确的。

Isis-Power使用与Isis-Migrate相同的单元交换技术。但它的目标并不是向新工艺的转移,而是用高电压(high-Vt)单元(速度慢但漏电流小)替换低电压(low-Vt)单元(速度快但漏电流大)。Isis-Power可以在不降低电路性能的条件下判定需要放置高电压单元的地方,In2Fab介绍道。

Isis-Migrate的3年使用许可费为12万美元。包含所有Isis-Migrate功能的Isis-Power的3年许可费要另加15万美元。

作者:葛立伟