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美国高通公司(QUALCOMM)日前宣布,将于2004年推出采用台积电90纳米低功耗工艺的手机芯片组解决方案。据称台积电90纳米系统单芯片Nexsys技术将能大幅降低移动终端的功耗,提升处理器性能,并能将更多功能整合到单一芯片上。
高通首先将台积电Nexsys 90纳米的无线芯片制造工艺,应用在MSM6xxx产品系列上。此外,MSM7xxx产品系列也将采用台积电的90纳米工艺,并在未来提升为更先进的工艺。
台积电表示,能够提供给客户多样的Nexsys 90纳米逻辑电路工艺,包括通用型(G)、低功耗(LP)以及高速(HS)工艺。每一工艺都提供给客户多种电压规格的选择,以满足不同产品设计中电压、速度及漏电流最佳化的模块。目前台积电的第十二芯片制造厂已使用90纳米工艺为客户进行生产。台积电另一座十二英寸芯片制造厂—第十四芯片制造厂未来在开始进入生产时,也将会用90纳米工艺为客户进行生产。
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12月18日，《AVEVA InTouch Unlimited重塑HMI/SCADA的无限可能》在线研讨会即将开播。
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