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由众多国际性公司组成的联盟Sematech最近主办了一场研讨会。与会的技术专家表示,为改良半导体互连而进行的低K材料研究有可能接近某种实际极限。
技术专家的一致意见是,未来研究很可能不是专注于超低K材料,而是更多着重于改进设计及制造低K薄膜的能力。Sematech互连项目经理Klaus Pfeifer在声明中表示,“K值越来越小存在的缺点是,在45纳米节点,超低K介电质非常易碎,标准加工引入太多破损,这从根本上抵消了低K材料的优势。”
“从研讨会上公布的仿真数据看,支配因素是晶体管性能,尤其是对于晶体管之间信号长度短的器件。”Knorr评论道。“即使提高了这种器件的有效K值,性能却没有提高。”因此,工程师正努力开发一种替代策略,重在精炼互连加工、蚀刻周期、打磨和清洗,并且改进电路设计方法。
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