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AMD公司日前宣布推出采用下一代绝缘硅和金属栅极技术开发的新型三栅极晶体管(triple-gate transistors)。该公司在最近的国际固态设备及材料研讨会上披露了这种三栅极晶体管的技术细节,该晶体管栅极长度为20纳米,以45纳米节点工艺制成。
AMD称,该晶体管比以往推出的多栅极器件的性能高出50%,可以超越2009年国际半导体技术蓝图对2007年后量产产品的技术要求。
AMD工艺技术开发部的副总裁Craig Sander表示,凭借该技术,AMD向实现多栅极晶体管量产的目标又迈近了一步,该晶体管制造工艺同现有制造技术高度兼容,可提高大规模生产的能力。这种新型晶体管具有很高的开关速度,并减少了泄漏电流。
AMD强调,将全空乏绝缘硅(FDSOI)技术和硅化镍金属栅极集成在一起,栅极导电性有大幅提升,而且晶体管可提供更高的载流子迁移率。
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