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在日前举行的光刻论坛上,大部分与会代表投票赞成,在2007年及2009年的制造中采用“干”和“湿”两种形式的193纳米光刻。
International Sematech向与会的120家公司发了调查表格,有90家公司交回了调查表。两个主要问题是:贵公司计划2009年采用何种形式的光刻？以及在2009年,面向65纳米和45纳米节点的计划如何？
大约有30家公司认为,193纳米沉浸光刻将在2006年准备就绪。大多数表示,2007年前“193i”将可投入生产使用。许多公司认为157纳米仅作为备用。Sematech高级会员、本次论坛主席Walt Trybula表示,在最为严格的光刻要求45纳米节点处,193纳米沉浸的得票数高出157纳米沉浸的三倍。
三家扫描器公司及光阻供应商把几乎所有的资源都投到了193纳米扫描器方面,均引入了沉浸技术及非常高光圈的透镜。
Trybula声称,超紫外线(EUV)光刻将在2010和2011年开始产生影响。
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