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飞利浦(Philips)和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。
这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。器件具有45nm门极长度,等效氧化层厚度为14nm,多晶硅厚度为100nm,结深小于20nm。
飞利浦高级副总裁Dr. Carel van der Poel表示,“目前实现的电性能,与其它公司获得的结果吻合,表明IMEC和飞利浦在65nm技术方面的合作研究迈出了成功的一步。”
据悉,飞利浦和IMEC在2000年早些时候开始建立战略性联盟,研究先进CMOS技术所需的关键工艺和集成技术。65nm CMOS技术方面的工作,是在双方成功完成90nm CMOS技术合作开发以后,于2002年早些时候开始的。
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