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富士通最近为先进ASIC和系统级芯片(SoC)设计推出65纳米工艺技术,酝酿出下一波半导体浪潮。富士通有两种65nm工艺:CS200和CS200A,面向ASIC和客户自有工具(COT)应用。两种技术制成的晶体管据称门长30nm,比90nm技术减少了25%。
CS200和CS200A采用11层铜互连层,而不是10层,使复杂SoC设计成为可能。富士通还利用了铜和多孔渗水超低K内连技术。CS200系列设计用于高端高性能服务器处理器设备及其它先进系统。CS200A系列的应用包括移动产品,如蜂窝电话、笔记本、计算机和其它需要最小功耗的数字消费类产品。
该公司声称,较小的晶体管采用镍聚合物取代90nm CS100晶体管用的聚合钴/多晶硅堆栈。镍聚合物的低片状电阻确保低门阻抗,实现了高速。封装选择包括标准BGA和倒装芯片BGA。
目前推出65nm技术的公司还包括英特尔、东芝、德州仪器和台积电(TSMC)等。英特尔日前宣称将研发第一代65nm工艺技术的超低功率衍生技术。
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