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IBM日前宣布,该公司开发出两种新型芯片制造技术,可制造更高速芯片,它们是绝缘应变硅SSDOI(strained-silicon directly on insulator)和混合定向技术HOT(hybrid-orientation technology)。IBM透露说,该公司已经开发出基于SSDOI技术的第一只晶体管。该场效应晶体管克服了使用现代硅锗技术带来的材料和工艺集成的问题,具有很高的电子迁移率。
而HOT技术可在一片CMOS晶圆上结合两层衬底,IBM表示,该技术可使芯片的性能提高40%-50%。
IBM科技研发部副总裁T. C. Chen在一份声明中说,在使用标准晶圆处理技术时,这两项革新技术运用起来相当容易。据了解,一般芯片制造流程包括200多个步骤,而这两项新技术仅仅使得制造流程增加了3个步骤,使得增加的芯片制造成本显得微乎其微。
据悉,这两项技术至少需要3年时间才能得到商用,IBM将在今年12月举行的国际电子设备会议IEDM(International Electron Devices Meeting)上发表这两项技术的细节。
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