飞利浦半导体(Philips Semiconductors)公司最好近声称,在其法国和台湾的90纳米CMOS生产线上制成了“符合时间表”的硅片。这些芯片是在法国Crolles2晶圆厂和台积电加工的。
采用low-leakage 90纳米CMOS工艺制造的全球首批系统级芯片按期交货,没有“返工(no re-spinning)”,飞利浦半导体公司90纳米CMOS项目经理Jan-Marc Luchies表示。
据该公司称,此次交货使飞利浦能够满足其精确到流片的芯片设计时间表。这次加工的90纳米芯片集成了ARM处理器内核、SRAM、ROM和面向无线应用的模拟信号电路,代表了商用领域的领先地位。Luchies拒绝透露目前90纳米CMOS低功率工艺的产出率,但声称已足够交付所选定客户的样品。批量生产预计今年晚些时候展开。
low-leakage 90纳米CMOS工艺由飞利浦及Crolles2联盟合作伙伴摩托罗拉和意法半导体开发。新工艺为设计师提供了用以控制泄漏电流的更厚门氧化物层的选择。OEM将从更小的芯片尺寸上获益,同时达到关键的功耗要求。
该公司还表示,与0.18微米CMOS工艺相比,CMOS090LP工艺使功率节省75%。至于数字电路所占据的硅片面积也减小了高达4倍。
京公网安备 11011202001138号
