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IBM公司日前表示已经论证了应变锗(strained germanium)技术,并称该技术的性能达到了半导体产品中使用的标准晶体管的三倍。IBM相信,对于包含32纳米及更小尺寸电路的芯片而言,这项最新技术能够帮助确保性能持续提升。
IBM介绍,该技术在晶体管的关键部位生成了一层锗元素。锗长久以来一直被认为比硅具有更良好的传导率。应变锗也显示出比硅或应变硅更突出的传输特性。
IBM院士兼IBM Research科技副总裁T.C. Chen表示:“系统性能依赖于芯片性能,而芯片性能又不断取决于新材料和设计技术,而不是简单的升级。”他称,“我们的研究成果源于经验的积累,如硅锗、绝缘硅和应变硅等技术。我们将专注于为我们的客户开发革新性的应用解决方案。”
IBM将在即将举行的国际电子器件大会(IEDM)上公布更详细的研究发现。
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