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应用材料公司(Applied Materials)宣布,其“黑钻(Black Diamond)”及BLOk低K介电薄膜将被东芝公司批量应用于其90nm CMOS4工艺生产。
据双方称,东芝在其面向无线装置、网络及服务器产品的ASIC TC3000家族中采用了该技术。东芝半导体技术官Masakazu Kakumu在声明中表示,“我们的TC300家族面向下一代高端应用,范围涵盖便携式无线装置到高速联网及服务器产品。通过整合设计和制造技术,包括11层铜连线和应用材料公司的低K值薄膜,我们有能力达到这些应用所要求的最先进性能和低功率。例如,集成Black Diamond 和BLOk可使我们减少功耗几近50%,容抗减少16%。”
Applied公司介电系统及模块产品业务部副总裁兼总经理Farhad Moghadam表示,“我们非常兴奋,东芝采用我们的CVD低K介电薄膜制造其最新的铜芯片设计。除了向东芝提供最好的低K技术之外,我们的目标是提供工艺可延伸性,在65nm及以上工艺点帮助他们加快未来产品的上市时间。”
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