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RFIC及功率放大器供应商RF Micro Devices公司宣称,通过从100mm转化为150mm晶圆,其砷化镓生产厂产量提升两倍。
该公司设在美国北卡罗林纳州格林斯博罗的生产厂主要制造GaAs异质结双极型(HBT)晶体管。该公司表示增产对于满足GaAs器件不断增长的需求必不可少。
RF Micro公司晶圆生产厂运营部副总裁Curt Barratt说,“我们的GaAs制造将受益于6英寸GaAs晶圆(150mm)更低的制造成本。”
GaAs比硅片更为昂贵,对于更大尺寸的晶圆,其材料特性没有硅片稳定。但对于许多无线及其它奇特应用如高速电信及光电子等领域来说,GaAs仍然是优选材料。GaAs的原子晶格结构比平面硅大,允许电子以更快速度穿透。
尽管一些芯片制造商将硅锗作为GaAs一种成本较低的替代物,其性能仍然超出标准硅,几家芯片制造商和研发组织目前正尝试以更具成本效益的方式制造GaAs,即在硅片上部外延生长GaAs。例如摩托罗拉公司曾于2001年秋季宣布在200mm和300mm GaAs及硅混合衬底上成功加工出功率放大器。
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