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由Sub-Micron Circuits公司的Jagdish Pathak主持,英特尔、东芝、日立、Micron Technology、摩托罗拉和多伦多大学等机构参与的国际固体电路会议(ISSCC)论坛指出,1967年发明的浮点门电路技术,尽管现在90纳米工艺上还在采用,有可能不会用在45纳米工艺上,有些人也认为在65纳米时就将进行技术变革。
这意味着主宰非易失性存储器37年的浮点结构,有可能被其他技术所替代,现有的处理工艺将成为采用该结构的最后一代。
不过,半导体产业面临的另一个问题是,现有的四种主要替代技术都还存在缺陷:MRAM仍然需要极低电压和极高电流的情况下进行写操作,而在极低电压下进行读操作；铁电存储器(ferroelectric)由于体积而不能显示出成本优势；硫化物/ovonyx/PCRAM)受到超过编程电流的困扰；而纳米晶体技术的操作电压又过高。
Pathak表示,到2010年前,浮点闪存仍然是占主导地位的非易失性存储器类型。
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